第四百八十六章 要不要一起看简单场景的电影？(1/3)

    实验室，许青舟没参与卡森等人的闲聊，注意力集中在参数面板上。CVD生长，在H/Ar（流量比1:10）气氛中升温至1050°C，通入CH（10sccm）生长，接下来就是长达4个小时的等待。搞定完第一步，许青舟留守实验室，卡森三个人去吃饭，没多久，实验室中仅仅剩下设备运行时的低沉声音。他仔细检查完设备运行情况，转身去隔壁的办公室，打开电脑，看CVD生长的情况。见数据什么都没问题，他从包里掏出NbSn薄膜制备的资料。实验过程中会遇到两个大问题，界面应力与成分控制难题，这在一定程度上决定了薄膜能达到的性能。对于前者，许青舟以前用过的一种方式，低温ALD和梯度退火，想办法减少热膨胀系数。虽然当时是用在硅基量子点的设计上，但万变不离其宗，试试再说。成分控制难题相对麻烦。需要进行大量调整，例如进行前驱体优化，替换样品，或者等离子体参数优化等等，目前也只能先做准备，一切都只有等第一轮实验数据出来了再调整。下午3点，许青舟和卡森再度进入实验室。冷却至300°C后旋涂PMMA保护层。最后，转移到电化学剥离铜箔，捞取石墨烯至SiO/Si衬底，丙酮去除PMMA。这个步骤大约2小时。留卡森检查设备，许青舟回办公室，打算再查查其他课题组的进度。做前沿实验的课题组会像“侦探”一样关注对手动态，这在一定程度上可以加速科学突破，有竞争才会有压力嘛。当然，也可能会道心崩溃。就比如曾经在普林斯顿，许青舟某天正在实验室跑数据呢，突然听到楼道里一阵大喊大叫。走出一看，一位老哥哭得那叫一个凄惨。后来才知道，这位老哥准备做两个创新点，干了几个月，第一个创新点被其他课题组nature见刊。老哥立刻换了第二个创新点，可干一个月左右才发现，又被science见刊了。于是，两次冲击下，绷不住了。当然，搞科研嘛，其实就算小撞，稍微修一下也能发表。不过许青舟他们这个倒不存在这个问题。普林斯顿大学研究的是二维超导薄膜，具体来说是拓扑超导与马约拉纳零能模，目标是把界面缺陷密度降低90%，以便推动容错量子计算发展。日国着眼于氮化铌（NbN）薄膜，希望能增强抗磁场干扰能力，把相干时间延长至400微秒以上。夏国目前在研究高温超导